发明授权
- 专利标题： Semiconductor controlled rectifying device
- 专利标题（中）： 半导体控制整流装置
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申请号： US487723申请日： 1974-07-11
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公开(公告)号： US3978513A公开(公告)日： 1976-08-31
- 发明人: Yoshio Terasawa
- 申请人： Yoshio Terasawa
- 申请人地址： JA
- 专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人地址： JA
- 优先权： JA46-34048 19710521; JA46-65892 19710830
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L29/74
摘要：
A semiconductor controlled rectifying device comprising a substrate having a four-layer structure wherein first and second regions are formed in one of the outermost layers of the structure and wherein a gate electrode is provided between the first and second regions.
公开/授权文献
- US4522277A Rocking scale 公开/授权日：1985-06-11
信息查询
IPC分类:
