发明授权
- 专利标题： Ion plating method
- 专利标题（中）： 离子镀层法
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申请号： US648296申请日： 1976-01-12
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公开(公告)号： US4082636A公开(公告)日： 1978-04-04
- 发明人: Toshinori Takagi
- 申请人： Toshinori Takagi
- 申请人地址： JA Osaka
- 专利权人： Sharp Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Sharp Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JA Osaka
- 优先权： JA50-6666 19750113; JA50-7304[U] 19750113
- 主分类号： C23C14/32
- IPC分类号： C23C14/32 ; C23C15/00
摘要：
In atomistic film deposition processes employing ion plating technology, an ion source is provided which includes a filament, an ionization electrode and an ion acceleration electrode. The voltage relationships between these electrodes are altered so as to form many kinds of fine-quality deposited films in a multi-layer fashion.
公开/授权文献
- US5805151A Raster contoller 公开/授权日：1998-09-08
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IPC分类:
