发明授权
- 专利标题： Method of manufacturing a gate turn-off thyristor
- 专利标题（中）： 制造栅极截止晶闸管的方法
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申请号： US922890申请日： 1978-07-07
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公开(公告)号： US4170502A公开(公告)日： 1979-10-09
- 发明人: Yaichiro Watakabe
- 申请人： Yaichiro Watakabe
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX52-99367 19770818
- 主分类号： H01L29/74
- IPC分类号： H01L29/74 ; H01L21/22 ; H01L29/10 ; H01L29/744 ; H01L21/225
摘要：
This disclosure sets forth a method of manufacturing a gate turn-off (GTO) thyristor which includes the step of altering the lateral electrical resistance of one base region by out diffusion from selected portions of the base region.
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