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发明授权
US4214254A Amplified gate semiconductor controlled rectifier with reduced lifetime in auxiliary thyristor portion 失效
放大门半导体可控整流器，辅助晶闸管部分寿命缩短

  • 专利标题： Amplified gate semiconductor controlled rectifier with reduced lifetime in auxiliary thyristor portion
  • 专利标题（中）： 放大门半导体可控整流器，辅助晶闸管部分寿命缩短
  • 申请号： US882332
    申请日： 1978-03-01
  • 公开(公告)号： US4214254A
    公开(公告)日： 1980-07-22
  • 发明人: Shin Kimura , Hiroshi Fukui , Yoshio Terasawa
  • 申请人： Shin Kimura , Hiroshi Fukui , Yoshio Terasawa
  • 申请人地址： JPX Tokyo
  • 专利权人： Hitachi, Ltd.
  • 当前专利权人： Hitachi, Ltd.
  • 当前专利权人地址： JPX Tokyo
  • 优先权： JPX52-25580 19770309
  • 主分类号： H01L29/74
  • IPC分类号： H01L29/74
Amplified gate semiconductor controlled rectifier with reduced lifetime in auxiliary thyristor portion
摘要：
A semiconductor controlled rectifier comprising an auxiliary thyristor region turned on by a gating signal and a main thyristor region turned on by being gated by the turn-on current flowing through the auxiliary thyristor region, wherein the life time of carriers in the auxiliary thyristor region is made shorter than that of the carriers in the main thyristor region.
摘要（中）：

一种半导体可控整流器，包括通过门控信号导通的辅助晶闸管区域和通过流经辅助晶闸管区域的导通电流而导通的主晶闸管区域，其中辅助晶闸管区域中的载流子的寿命为 比主晶闸管区域的载流子短。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70 ...双极器件
H01L29/74 ....晶闸管型器件，如具有四区再生作用的
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