发明授权
- 专利标题： Double crucible Czochralski crystal growth apparatus
- 专利标题（中）： 双坩埚切克劳斯基晶体生长仪
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申请号： US42693申请日： 1979-05-25
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公开(公告)号： US4352784A公开(公告)日： 1982-10-05
- 发明人: Wen Lin
- 申请人： Wen Lin
- 申请人地址： NY New York
- 专利权人： Western Electric Company, Inc.
- 当前专利权人： Western Electric Company, Inc.
- 当前专利权人地址： NY New York
- 主分类号： C30B15/12
- IPC分类号： C30B15/12
摘要：
An apparatus useful for double crucible Czochralski crystal growth comprises an inner crucible fixed within an outer crucible wherein the inner crucible contains an extra volume or reservoir of semiconductor melt when flow of semiconductor melt from the outer crucible into the inner crucible through means interconnecting the crucibles ceases.
公开/授权文献
- US6039808A CVD apparatus for Cu formation 公开/授权日：2000-03-21
信息查询
IPC分类:
