发明授权
- 专利标题： Electrically alterable read only memory cell
- 专利标题（中）： 电可更改的只读存储单元
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申请号： US164470申请日： 1980-06-30
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公开(公告)号： US4404577A公开(公告)日： 1983-09-13
- 发明人: Hayden C. Cranford, Jr. , Charles R. Hoffman , Geoffrey B. Stephens
- 申请人： Hayden C. Cranford, Jr. , Charles R. Hoffman , Geoffrey B. Stephens
- 申请人地址： NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corp.
- 当前专利权人： International Business Machines Corp.
- 当前专利权人地址： NY Armonk
- 主分类号： G11C17/00
- IPC分类号： G11C17/00 ; G11C16/04 ; H01L21/8247 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L29/78 ; H01L27/02
摘要：
A reduction in cell area and an improvement in tolerance allowed for programming and erase voltages is achieved utilizing a diffused control gate having improved capacitive coupling to the floating gate through a thin oxide grown on single crystal silicon.
公开/授权文献
- US4829233A Microwave probe 公开/授权日：1989-05-09
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