发明授权
- 专利标题： Dry-developed, negative working electron resist system
- 专利标题（中）： 干式显影，负性工作电子抗蚀系统
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申请号： US545032申请日： 1983-10-25
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公开(公告)号： US4497891A公开(公告)日： 1985-02-05
- 发明人: Leon H. Kaplan , Richard D. Kaplan
- 申请人： Leon H. Kaplan , Richard D. Kaplan
- 申请人地址： NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： NY Armonk
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/038 ; G03F7/30 ; G03F7/36 ; G03C5/00
摘要：
A process for producing a resist pattern by dry development using a resist comprising from 70 to 50% by weight of a novolac resin and from 30 to 50% by weight of a poly(ether pentene sulfone).
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