发明授权
- 专利标题： Substrate for amorphous silicon semiconductor material
- 专利标题（中）： 非晶硅半导体材料基板
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申请号： US535721申请日： 1983-09-26
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公开(公告)号： US4551575A公开(公告)日： 1985-11-05
- 发明人: Kiyoshi Takahashi , Makoto Konagai , Toshihiko Yoshitomi , Takeshi Omori
- 申请人： Kiyoshi Takahashi , Makoto Konagai , Toshihiko Yoshitomi , Takeshi Omori
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Mitsubishi Chemical Industries Limited
- 当前专利权人： Mitsubishi Chemical Industries Limited
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX57-166161 19820924
- 主分类号： C25D7/12
- IPC分类号： C25D7/12 ; C25D7/00 ; H01L21/205 ; H01L31/0392 ; H01L31/04 ; H01L31/20 ; H01L31/06
摘要：
A substrate for an amorphous silicon semiconductor material characterized in that a metal or alloy film is formed on the surface of a metal substrate by means of an electroplating treatment.
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