发明授权
- 专利标题： Infrared cadmium selenide photoconductor and process of making same
- 专利标题（中）： 红外硒化镉光电导体及其制作方法
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申请号： US443403申请日： 1982-11-22
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公开(公告)号： US4643961A公开(公告)日： 1987-02-17
- 发明人: Sixdeniel Faria
- 申请人： Sixdeniel Faria
- 申请人地址： CT Stamford
- 专利权人： GTE Products Corporation
- 当前专利权人： GTE Products Corporation
- 当前专利权人地址： CT Stamford
- 主分类号： G03G5/08
- IPC分类号： G03G5/08 ; G03G5/082
摘要：
An infrared responsive cadmium selenide photoconductor is prepared by blending cadmium selenide, copper-containing cadmium selenide mix and cadmium chloride, and then firing the blend at 425.degree. C.
公开/授权文献
- US5565966A Image forming method for setting a developing gap 公开/授权日：1996-10-15
信息查询
IPC分类:
