发明授权
US4779230A CMOS static ram cell provided with an additional bipolar drive transistor
失效
CMOS静态压电池提供一个额外的双极驱动晶体管
- 专利标题： CMOS static ram cell provided with an additional bipolar drive transistor
- 专利标题（中）： CMOS静态压电池提供一个额外的双极驱动晶体管
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申请号： US947124申请日： 1986-12-29
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公开(公告)号： US4779230A公开(公告)日： 1988-10-18
- 发明人: Kevin L. McLaughlin , Walter C. Seelbach
- 申请人： Kevin L. McLaughlin , Walter C. Seelbach
- 申请人地址： IL Schaumburg
- 专利权人： Motorola, Inc.
- 当前专利权人： Motorola, Inc.
- 当前专利权人地址： IL Schaumburg
- 主分类号： G11C11/41
- IPC分类号： G11C11/41 ; G11C7/00
摘要：
A BIMOS memory cell is formed by providing a CMOS static RAM cell with an additional NPN bipolar transistor to provide additional drive current during the read cycle to improve the read time of the memory cell.
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