发明授权
- 专利标题： Low top gate resistance JFET structure
- 专利标题（中）： 低顶栅电阻JFET结构
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申请号： US301835申请日： 1989-01-26
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公开(公告)号： US4876579A公开(公告)日： 1989-10-24
- 发明人: Christopher K. Davis , James D. Beasom
- 申请人： Christopher K. Davis , James D. Beasom
- 申请人地址： FL Melbourne
- 专利权人： Harris Corporation
- 当前专利权人： Harris Corporation
- 当前专利权人地址： FL Melbourne
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/808
摘要：
A JFET having top gate contact regions formed in either one or both of the source and drain regions at and contacting a substantial portion of the edge terminations of the top gate in the source and drain regions. The improved top gate contact region can be used in three and four terminal JFET's.
公开/授权文献
- US5539089A A83543 aglycones and pseudoglycones 公开/授权日：1996-07-23
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