发明授权
- 专利标题： Sputtering target and method of preparing the same
- 专利标题（中）： 溅射靶材及其制备方法
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申请号： US234996申请日： 1988-08-22
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公开(公告)号： US4885134A公开(公告)日： 1989-12-05
- 发明人: Tukaram K. Hatwar
- 申请人： Tukaram K. Hatwar
- 申请人地址： NY Rochester
- 专利权人： Eastman Kodak Company
- 当前专利权人： Eastman Kodak Company
- 当前专利权人地址： NY Rochester
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; G11B7/26
摘要：
Highly uniform alloy targets are prepared by melting together predetermined amounts of terbium iron and cobalt with an additional element selected from platinum, chromium, nickel, palladium, tantalum, hafnium or mixtures thereof in an argon atmosphere and casting the thus formed melt into a mold.
公开/授权文献
- US6110654A Uniformly mixed dry photographic processing composition 公开/授权日：2000-08-29