发明授权
- 专利标题： Photovoltaic device
- 专利标题（中）： 光伏装置
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申请号： US563567申请日： 1990-08-06
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公开(公告)号： US5066340A公开(公告)日： 1991-11-19
- 发明人: Masayuki Iwamoto , Kouji Minami , Toshihiko Yamaoki
- 申请人： Masayuki Iwamoto , Kouji Minami , Toshihiko Yamaoki
- 申请人地址： JPX Moriguchi
- 专利权人： Sanyo Electric Co., Ltd.
- 当前专利权人： Sanyo Electric Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JPX Moriguchi
- 优先权： JPX1-206143 19890809
- 主分类号： H01L31/04
- IPC分类号： H01L31/04 ; H01L31/036 ; H01L31/0368 ; H01L31/072 ; H01L31/20
摘要：
A photovoltaic device has a crystalline layer of a first conductivity type formed of crystalline silicon semiconductor material, an amorphous layer of an opposite conductivity type formed of amorphous silicon semiconductor material, and a microcrystalline layer formed of substantially intrinsic microcrystalline silicon semiconductor material provided between the crystalline layer and the amorphous layer.
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