发明授权
- 专利标题： COG dielectric with high K
- 专利标题（中）： 高K的COG电介质
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申请号： US614550申请日： 1990-11-16
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公开(公告)号： US5116790A公开(公告)日： 1992-05-26
- 发明人: Salvatore A. Bruno , Ian Burn
- 申请人： Salvatore A. Bruno , Ian Burn
- 申请人地址： DE Wilmington
- 专利权人： E. I. Du Pont de Nemours and Company
- 当前专利权人： E. I. Du Pont de Nemours and Company
- 当前专利权人地址： DE Wilmington
- 主分类号： C04B35/462
- IPC分类号： C04B35/462 ; H01G4/12
摘要：
A composition consisting essentially of 60.0-70.0 mol % TiO.sub.2, 14.3-20.0 mol % Nd.sub.2 O.sub.3, 11.0-16.7 mol % BaO, 1.0-8.0 mol % ZrO.sub.2 and 0.05-0.30 mol % CeO.sub.2. This composition is useful for forming densified ceramic dielectric bodies having a dielectric constant of at least 65 and which meet COG specifications, and multilayer capacitors that contain such dielectric bodies.
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