发明授权
- 专利标题： AlAS Zn-stop diffusion layer in AlGaAs laser diodes
- 专利标题（中）： AlGaAs激光二极管中的AlAS Zn-stop扩散层
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申请号： US836571申请日： 1992-02-18
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公开(公告)号： US5212705A公开(公告)日： 1993-05-18
- 发明人: Keith B. Kahen , Frank T. J. Smith
- 申请人： Keith B. Kahen , Frank T. J. Smith
- 申请人地址： NY Rochester
- 专利权人： Eastman Kodak Company
- 当前专利权人： Eastman Kodak Company
- 当前专利权人地址： NY Rochester
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00 ; H01S5/042 ; H01S5/20 ; H01S5/223 ; H01S5/323
摘要：
An AlGaAs-based semiconductor laser diode is disclosed which has a Zn-stop diffusion layer of p-type conductivity deposited on the active layer, having an Al content greater than 85%.
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