Transistor with inverse silicide T-gate structure

发明授权

US5290720A Transistor with inverse silicide T-gate structure 失效

标题翻译：具有反硅化物T型栅结构的晶体管

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专利标题： Transistor with inverse silicide T-gate structure
专利标题（中）： 具有反硅化物T型栅结构的晶体管
申请号： US97932

申请日： 1993-07-26
公开(公告)号： US5290720A

公开(公告)日： 1994-03-01
发明人: Min-Liang Chen
申请人： Min-Liang Chen
申请人地址： NJ Murray Hill
专利权人： AT&T Bell Laboratories
当前专利权人： AT&T Bell Laboratories
当前专利权人地址： NJ Murray Hill
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/8238 ; H01L27/092 ; H01L29/423 ; H01L21/265 ; H01L29/04

Transistor with inverse silicide T-gate structure

摘要：

A method of making a silicided inverse T-gate with an L-shaped silicon spacer and nitride sidewall spacers is described. The L-shaped spacer is electrically connected to the gate.

摘要（中）：

描述了制造具有L形硅衬垫和氮化物侧壁间隔物的硅化反向T形栅极的方法。 L形间隔件电连接到栅极。

公开/授权文献

USD422938S Utility vehicle 公开/授权日：2000-04-18

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的