发明授权
US5412679A Optical waveguide epitaxially grown on semiconductors for upconversion
失效
外延生长在半导体上用于上变频的光波导
- 专利标题： Optical waveguide epitaxially grown on semiconductors for upconversion
- 专利标题（中）： 外延生长在半导体上用于上变频的光波导
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申请号： US195239申请日： 1994-02-14
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公开(公告)号： US5412679A公开(公告)日： 1995-05-02
- 发明人: Liang-Sun Hung , Gustavo R. Paz-Pujalt
- 申请人： Liang-Sun Hung , Gustavo R. Paz-Pujalt
- 申请人地址： NY Rochester
- 专利权人： Eastman Kodak Company
- 当前专利权人： Eastman Kodak Company
- 当前专利权人地址： NY Rochester
- 主分类号： G02F1/35
- IPC分类号： G02F1/35 ; G02F2/02 ; H01S3/063 ; H01S3/16 ; H01S5/026 ; H01S3/19
摘要：
A multilayer structure is disclosed which includes a single crystal semiconductor substrate. On the substrate is an epitaxial buffer layer, and on the buffer is an epitaxial fluoride outer layer exhibiting upconversion excitation upon red or infrared irradiation.
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