发明授权
- 专利标题： Intermetallic compound semiconductor thin film
- 专利标题（中）： 金属间化合物半导体薄膜
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申请号： US195823申请日： 1994-02-10
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公开(公告)号： US5421910A公开(公告)日： 1995-06-06
- 发明人: Manijeh Razeghi
- 申请人： Manijeh Razeghi
- 申请人地址： IL Evanston
- 专利权人： Northwestern University
- 当前专利权人： Northwestern University
- 当前专利权人地址： IL Evanston
- 主分类号： H01L29/201
- IPC分类号： H01L29/201 ; H01L31/0304 ; H01L31/18 ; H01L29/12
摘要：
An intermetallic compound semiconductor thin film comprises thin film made of the III-V group intermetallic compound InTlSb. Preferably, the thin film is grown by a vapor phase MOCVD method.
公开/授权文献
- US6101643A Portable hot sink system 公开/授权日：2000-08-15
信息查询
IPC分类:
