Manufacturing method of encapsulating semiconductor device using two resin sheets having convex portions

发明授权

US5424250A Manufacturing method of encapsulating semiconductor device using two resin sheets having convex portions 失效

标题翻译：使用具有凸部的两个树脂片封装半导体器件的制造方法

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专利标题： Manufacturing method of encapsulating semiconductor device using two resin sheets having convex portions
专利标题（中）： 使用具有凸部的两个树脂片封装半导体器件的制造方法
申请号： US215815

申请日： 1994-03-22
公开(公告)号： US5424250A

公开(公告)日： 1995-06-13
发明人: Kanako Sawada
申请人： Kanako Sawada
申请人地址： JPX Kawasaki
专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人地址： JPX Kawasaki
优先权： JPX5-109381 19930511
主分类号： H01L21/56
IPC分类号： H01L21/56

Manufacturing method of encapsulating semiconductor device using two
resin sheets having convex portions

摘要：

A method for manufacturing a semiconductor device in which two resin encapsulating sheets, each having a convex portion, are brought into contact with a semiconductor chip. The semiconductor chip is then encapsulated by pressing the chip between the encapsulating sheets.

摘要（中）：

一种制造半导体器件的方法，其中两个具有凸部的树脂封装片与半导体芯片接触。然后通过在封装片之间挤压芯片来封装半导体芯片。

公开/授权文献

US5968473A Stannosilicate molecular sieves 公开/授权日：1999-10-19

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56	....封装，例如密封层、涂层