发明授权
US5963470A Static semiconductor memory cell with improved data retention stability
失效
具有改进的数据保持稳定性的静态半导体存储单元
- 专利标题： Static semiconductor memory cell with improved data retention stability
- 专利标题（中）： 具有改进的数据保持稳定性的静态半导体存储单元
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申请号： US019560申请日： 1998-02-06
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公开(公告)号： US5963470A公开(公告)日： 1999-10-05
- 发明人: Hirotoshi Sato
- 申请人： Hirotoshi Sato
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX9-191430 19970716
- 主分类号： G11C11/412
- IPC分类号： G11C11/412 ; G11C11/00
摘要：
In a SRAM cell including a bipolar transistor and a cut transistor, the threshold Vtheff (Driver) of driver transistor and the threshold Vtheff (Cut) of cut transistor are set such that they satisfy the expressions,Vtheff(Driver).gtoreq.�{log(1 .mu.A)}-{log(Vcc/10R)}!.times.S(1)�{log(1 .mu.A)}-{log((Ie.times.(1/(hFE+1)))/10)}!.times.S.ltoreq.Vtheff(Cut).ltoreq.�{log(1 .mu.A)}-{log(Vcc/R)}!.times.S(2)Vtheff(Cut)-S.ltoreq.Vtheff(Ac) (3)
公开/授权文献
- USD366752S Sandal pair 公开/授权日：1996-02-06
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