发明授权
US5963573A Light absorbing layer for II-VI semiconductor light emitting devices
失效
用于II-VI半导体发光器件的光吸收层
- 专利标题： Light absorbing layer for II-VI semiconductor light emitting devices
- 专利标题（中）： 用于II-VI半导体发光器件的光吸收层
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申请号： US920179申请日： 1997-08-25
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公开(公告)号： US5963573A公开(公告)日： 1999-10-05
- 发明人: Michael A. Haase , Paul F. Baude
- 申请人： Michael A. Haase , Paul F. Baude
- 申请人地址： MN St. Paul
- 专利权人： 3M Innovative Properties Company
- 当前专利权人： 3M Innovative Properties Company
- 当前专利权人地址： MN St. Paul
- 主分类号： H01L33/28
- IPC分类号： H01L33/28 ; H01S5/00 ; H01S5/10 ; H01S5/22 ; H01S5/223 ; H01S5/327 ; H01S3/19 ; H01L33/00
摘要：
A II-VI semiconductor light emitting device includes a II-VI semiconductor light emitting region and a II-VI semiconductor waveguide layer. A light absorbing layer is provided near the II-VI semiconductor waveguide layer, outside of the active region. The light absorbing layer absorbs extraneous radiation thereby reducing dark line defects (DLDs).
公开/授权文献
- US4851675A Radiation image read-out method and apparatus 公开/授权日：1989-07-25
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