发明授权
- 专利标题： Reference voltage generating circuit, semiconductor memory device and burn-in method therefor
- 专利标题（中）： 参考电压发生电路，半导体存储器件及其老化方法
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申请号： US09592787申请日： 2000-06-13
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公开(公告)号： US06288965B1公开(公告)日： 2001-09-11
- 发明人: Motoko Hara , Seiji Sawada
- 申请人： Motoko Hara , Seiji Sawada
- 优先权： JP12-000079 20000104
- 主分类号： G11C700
- IPC分类号： G11C700
摘要：
A reference voltage generating circuit having a fuse for controlling resistance includes a burn-in circuit for supplying burn-in voltage between opposite terminals of the fuse when a control signal is inputted to the burn-in circuit.
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