发明授权
- 专利标题： Thin film resistor and method for forming the same
- 专利标题（中）： 薄膜电阻及其形成方法
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申请号： US09546334申请日： 2000-04-10
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公开(公告)号： US06466124B1公开(公告)日： 2002-10-15
- 发明人: Akinobu Shibuya , Koji Matsui
- 申请人： Akinobu Shibuya , Koji Matsui
- 优先权： JP11-101472 19990408
- 主分类号： H01C1012
- IPC分类号： H01C1012
摘要：
There is provided a thin film resistor formed of titanium nitride containing oxygen in a solid solution condition.
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