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发明授权
US06483149B1 LDMOS device with self-aligned resurf region and method of fabrication 失效
具有自对准复制区域的LDMOS器件和制造方法

  • 专利标题： LDMOS device with self-aligned resurf region and method of fabrication
  • 专利标题（中）： 具有自对准复制区域的LDMOS器件和制造方法
  • 申请号： US08856498
    申请日： 1997-05-14
  • 公开(公告)号： US06483149B1
    公开(公告)日： 2002-11-19
  • 发明人: Dan M. Mosher , Taylor R. Efland
  • 申请人： Dan M. Mosher , Taylor R. Efland
  • 主分类号： H01L27092
  • IPC分类号： H01L27092
LDMOS device with self-aligned resurf region and method of fabrication
摘要：
A RESURF LDMOS transistor (64) includes a RESURF region (42) that is self-aligned to a LOCOS field oxide region (44). The self-alignment produces a stable breakdown voltage BVdss by eliminating degradation associated with geometric misalignment and process tolerance variation.
摘要（中）：

RESURF LDMOS晶体管（64）包括与LOCOS场氧化物区域（44）自对准的RESURF区域（42）。 自对准通过消除与几何不对准和工艺公差变化相关的劣化产生稳定的击穿电压BVdss。

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