发明授权
US06486015B1 Low temperature carbon rich oxy-nitride for improved RIE selectivity
失效
低温富碳氧氮化物，提高RIE选择性
- 专利标题： Low temperature carbon rich oxy-nitride for improved RIE selectivity
- 专利标题（中）： 低温富碳氧氮化物，提高RIE选择性
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申请号： US09557363申请日： 2000-04-25
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公开(公告)号： US06486015B1公开(公告)日： 2002-11-26
- 发明人: Nirmal Chaudhary , Richard A. Conti
- 申请人： Nirmal Chaudhary , Richard A. Conti
- 主分类号： H01L218238
- IPC分类号： H01L218238
摘要：
Reactive ion etch (RIE) selectivity during etching of a feature nearby embedded structure is improved by using a silicon oxynitride layer formed with carbonization throughout layer.