- 专利标题： Semiconductor device and method of manufacturing the same
-
申请号： US09296669申请日： 1999-04-22
-
公开(公告)号： US06570217B1公开(公告)日： 2003-05-27
- 发明人: Tsutomu Sato , Ichiro Mizushima , Yoshitaka Tsunashima , Toshihiko Iinuma , Kiyotaka Miyano
- 申请人： Tsutomu Sato , Ichiro Mizushima , Yoshitaka Tsunashima , Toshihiko Iinuma , Kiyotaka Miyano
- 优先权： JP10-115310 19980424; JP11-113653 19990421
- 主分类号： H01L2926
- IPC分类号： H01L2926
摘要：
To provide a cavity in the portion of the silicon substrate which lies beneath the channel region of the MOS transistor.