发明授权
US06717212B2 Leaky, thermally conductive insulator material (LTCIM) in semiconductor-on-insulator (SOI) structure
有权
绝缘体上绝缘体（SOI）结构中的漏电导热绝缘体材料（LTCIM）
- 专利标题： Leaky, thermally conductive insulator material (LTCIM) in semiconductor-on-insulator (SOI) structure
- 专利标题（中）： 绝缘体上绝缘体（SOI）结构中的漏电导热绝缘体材料（LTCIM）
-
申请号： US09879724申请日： 2001-06-12
-
公开(公告)号： US06717212B2公开(公告)日： 2004-04-06
- 发明人: Dong-Hyuk Ju , William George En , Srinath Krishnan , Concetta E. Riccobene , Zoran Krivokapic , Judy Xilin An , Bin Yu
- 申请人： Dong-Hyuk Ju , William George En , Srinath Krishnan , Concetta E. Riccobene , Zoran Krivokapic , Judy Xilin An , Bin Yu
- 主分类号： H01L31392
- IPC分类号： H01L31392
摘要：
A device and method for making a semiconductor-on-insulator (SOI) structure having a leaky, thermally conductive material (LTCIM) layer disposed between a semiconductor substrate and a semiconductor layer.
公开/授权文献
信息查询
