发明授权
- 专利标题： Method of depositing tungsten nitride using a source gas comprising silicon
- 专利标题（中）： 使用包含硅的源气体沉积氮化钨的方法
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申请号： US10004714申请日： 2001-12-05
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公开(公告)号： US06730954B2公开(公告)日： 2004-05-04
- 发明人: Scott Meikle , Trung Doan
- 申请人： Scott Meikle , Trung Doan
- 主分类号： H01L27108
- IPC分类号： H01L27108
摘要：
A method for depositing tungsten nitride uses a source gas mixture having a silicon based gas for depositing the tungsten nitride to overlie a deposition substrate. A non-planar storage capacitor has a tungsten nitride capacitor electrode.
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