Method of spin etching wafers with an alkali solution

发明授权

US06743722B2 Method of spin etching wafers with an alkali solution 有权

标题翻译：用碱溶液旋转蚀刻晶片的方法

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专利标题： Method of spin etching wafers with an alkali solution
专利标题（中）： 用碱溶液旋转蚀刻晶片的方法
申请号： US10059701

申请日： 2002-01-29
公开(公告)号： US06743722B2

公开(公告)日： 2004-06-01
发明人: Salman M. Kassir
申请人： Salman M. Kassir
主分类号： H01L21304
IPC分类号： H01L21304

Method of spin etching wafers with an alkali solution

摘要：

A method of relieving surface stress on a thin wafer by removing a small portion of the wafer substrate, the substrate being removed by applying a solution of KOH to the wafer while the wafer spins.

摘要（中）：

通过去除晶片衬底的一小部分来减轻薄晶片上的表面应力的方法，通过在晶片旋转时将KOH溶液施加到晶片来除去衬底。

公开/授权文献

US20030143861A1 Method of spin etching wafers with an alkali solution 公开/授权日：2003-07-31

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