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US06765257B1 Implanted vertical source-line under straight stack for flash eprom 失效
在垂直堆栈下注入垂直源线用于闪光eprom

  • 专利标题： Implanted vertical source-line under straight stack for flash eprom
  • 专利标题（中）： 在垂直堆栈下注入垂直源线用于闪光eprom
  • 申请号： US09120712
    申请日： 1998-07-22
  • 公开(公告)号： US06765257B1
    公开(公告)日： 2004-07-20
  • 发明人: Freidoon Mehrad , Kyle A. Picone
  • 申请人： Freidoon Mehrad , Kyle A. Picone
  • 主分类号： H01L2976
  • IPC分类号： H01L2976
Implanted vertical source-line under straight stack for flash eprom
摘要：
In FLASH EPROM cells, source diffusion continuity between horizontal and vertical source lines is provided by an arsenic implant under the stack in vertical source lines.
摘要（中）：

在FLASH EPROM单元中，水平和垂直源极线之间的源极扩散连续性由垂直源极线下的堆叠下的砷注入提供。

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