Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives

发明授权

US06770521B2 Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives 有权

标题翻译：通过金属合金添加剂注入金属制作多功能门的方法

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专利标题： Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives
专利标题（中）： 通过金属合金添加剂注入金属制作多功能门的方法
申请号： US10135725

申请日： 2002-04-29
公开(公告)号： US06770521B2

公开(公告)日： 2004-08-03
发明人: Mark R. Visokay , Antonio L. P. Rotondaro , Luigi Colombo
申请人： Mark R. Visokay , Antonio L. P. Rotondaro , Luigi Colombo
主分类号： H01L218238
IPC分类号： H01L218238

Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives

摘要：

A method of forming a first and second transistors with differing work function gates by differing metals with a second metal selectively implanted or diffused into a first metal.

摘要（中）：

通过不同金属形成具有不同功函数栅极的第一和第二晶体管的方法，其中第二金属选择性地注入或扩散到第一金属中。

公开/授权文献

US20030104663A1 Multiple work function gates 公开/授权日：2003-06-05

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