发明授权
- 专利标题： Methods for forming capacitors on semiconductor substrates
- 专利标题（中）： 在半导体衬底上形成电容器的方法
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申请号： US10295348申请日： 2002-11-15
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公开(公告)号： US06806183B2公开(公告)日： 2004-10-19
- 发明人: Chang-seok Kang , Doo-sup Hwang , Cha-young Yoo , Young-wook Park , Hong-bae Park
- 申请人： Chang-seok Kang , Doo-sup Hwang , Cha-young Yoo , Young-wook Park , Hong-bae Park
- 优先权： KR99-39839 19990916
- 主分类号： H01L214763
- IPC分类号： H01L214763
摘要：
Methods and apparatus for plasma annealing layers of a microelectronic capacitor on a substrate are provided to improve the leakage current characteristics of a capacitor and/or to reduce the number of impurities in an electrode.
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