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US06818462B1 METHOD OF DETERMINING THE ACTIVE REGION WIDTH BETWEEN SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES USING A C-V MEASUREMENT TECHNIQUE FOR FABRICATING A FLASH MEMORY SEMICONDUCTOR DEVICE AND A DEVICE THEREBY FORMED 失效
使用C-V测量技术确定闪存隔离结构之间的活性区域宽度的方法，用于制造闪速存储器半导体器件及其形成的器件

  • 专利标题： METHOD OF DETERMINING THE ACTIVE REGION WIDTH BETWEEN SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES USING A C-V MEASUREMENT TECHNIQUE FOR FABRICATING A FLASH MEMORY SEMICONDUCTOR DEVICE AND A DEVICE THEREBY FORMED
  • 专利标题（中）： 使用C-V测量技术确定闪存隔离结构之间的活性区域宽度的方法，用于制造闪速存储器半导体器件及其形成的器件
  • 申请号： US10224028
    申请日： 2002-08-19
  • 公开(公告)号： US06818462B1
    公开(公告)日： 2004-11-16
  • 发明人: Tien-Chun Yang , Nian Yang , Zhigang Wang
  • 申请人： Tien-Chun Yang , Nian Yang , Zhigang Wang
  • 主分类号： H01L2166
  • IPC分类号： H01L2166
METHOD OF DETERMINING THE ACTIVE REGION WIDTH BETWEEN SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES USING A C-V MEASUREMENT TECHNIQUE FOR FABRICATING A FLASH MEMORY SEMICONDUCTOR DEVICE AND A DEVICE THEREBY FORMED
摘要：
A method of determining the active region width (10) of an active region (4) by measuring the respective capacitance values (C100, C100′, C100″) of respective composite capacitance structures (100, 100′, 100″), respectively comprising at least one capacitor element(16, 17, 18; 16′, 17′, 18″; 16″, 17″, 18″) having respective predetermined widths (Wi) for fabricating a flash memory semiconductor device, and a device thereby fabricated. The present method also comprises plotting the respective capacitance values (C100, C100′, C100″) as a quasi-linear function (CW) of the respective predetermined widths (Wi), extrapolating a calibration term (WC=0) from the quasi-linear function (CW), and subtracting the calibration term (WC=0) from the respective predetermined widths (Wi) to define and constrain the active region width (10) for facilitating device fabrication.
摘要（中）：

通过测量各个复合电容结构（100,100'，100“）的各个电容值（C100，C100'，C100”）来确定有源区域（4）的有源区宽度（10）的方法， 分别包括至少一个电容器元件（16,17,18; 16'，17“，18”，16“，17”，18“），其具有用于制造闪速存储器半导体器件的各自的预定宽度 ，以及由此制造的装置。 本方法还包括将各个电容值（C100，C100'，C100“）绘制为各个预定宽度（Wi）的准线性函数（CW），从准准则中外推校准项（WC = 0） 线性函数（CW），并从相应的预定宽度（Wi）减去校准项（WC = 0），以限定和约束有源区宽度（10）以便于器件制造。

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