发明授权
- 专利标题： Method of producing a PTC-resistor device
- 专利标题（中）： 制造PTC电阻器件的方法
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申请号： US10311006申请日： 2001-04-24
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公开(公告)号： US06932928B2公开(公告)日： 2005-08-23
- 发明人: Ralf Strümpler , Ruzica Loitzl-Jelenic , Joachim Glatz-Reichenbach
- 申请人： Ralf Strümpler , Ruzica Loitzl-Jelenic , Joachim Glatz-Reichenbach
- 申请人地址： CH Zurich
- 专利权人： ABB Research Ltd.
- 当前专利权人： ABB Research Ltd.
- 当前专利权人地址： CH Zurich
- 代理机构： Burns, Doane, Swecker & Mathis, PC
- 优先权： EP00810535 20000619
- 国际申请： PCT/CH01/00256 WO 20010424
- 国际公布： WO01/99126 WO 20011227
- 主分类号： H01C7/02
- IPC分类号： H01C7/02 ; H01C7/12 ; H01C17/00 ; B29C45/16 ; B29C70/82
摘要：
The invention relates to a novel method of producing a resistor device comprising a PTC-polymer element 2 and a varistor element 4. Both elements are molded in a common molding process using one common mold. Preferred is co-injection molding. The invention further relates to the resistor device thus produced and a current limit means including the resistor device and a switch (FIG. 4).
公开/授权文献
- US20030154591A1 Method of producing a ptc-resistor device 公开/授权日：2003-08-21
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