发明授权
- 专利标题： Controlled electron mobility galvanomagnetic devices
- 专利标题（中）： 受控电子迁移率电磁场
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申请号： US10341032申请日： 2003-01-13
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公开(公告)号： US06985066B2公开(公告)日： 2006-01-10
- 发明人: Dale L. Partin , Joseph Pierre Heremans , Thaddeus Schroeder
- 申请人： Dale L. Partin , Joseph Pierre Heremans , Thaddeus Schroeder
- 申请人地址： US MI Troy
- 专利权人： Delphi Technologies, Inc.
- 当前专利权人： Delphi Technologies, Inc.
- 当前专利权人地址： US MI Troy
- 代理商 Jimmy L. Funke
- 主分类号： H01C7/04
- IPC分类号： H01C7/04
摘要：
A controlled electron mobility galvanomagnetic device comprising a layer of indium antimonide alloyed with a Group 13 isoelectronic element antimonide and doped n-type, the layer disposed on an insulating substrate.
公开/授权文献
- US20040135665A1 Controlled electron mobility galvanomagnetic devices 公开/授权日：2004-07-15
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