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发明授权
US07026231B2 Method of producing organic semiconductor device including step of applying oxidizing agent solution to monomer layer to obtain polymer layer 失效
制造有机半导体器件的方法包括将氧化剂溶液施加到单体层以获得聚合物层的步骤

  • 专利标题： Method of producing organic semiconductor device including step of applying oxidizing agent solution to monomer layer to obtain polymer layer
  • 专利标题（中）： 制造有机半导体器件的方法包括将氧化剂溶液施加到单体层以获得聚合物层的步骤
  • 申请号： US10479364
    申请日： 2003-02-04
  • 公开(公告)号： US07026231B2
    公开(公告)日： 2006-04-11
  • 发明人: Makoto Kubota , Motokazu Kobayashi
  • 申请人： Makoto Kubota , Motokazu Kobayashi
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
  • 当前专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 代理机构： Fitzpatrick, Cella, Harper & Scinto
  • 优先权： JP2002-029793 20020206
  • 国际申请： PCT/JP03/01096 WO 20030204
  • 国际公布： WO03/067680 WO 20030814
  • 主分类号： H01L21/3205
  • IPC分类号： H01L21/3205
Method of producing organic semiconductor device including step of applying oxidizing agent solution to monomer layer to obtain polymer layer
摘要：
There is provided a method of producing an organic semiconductor device by which an organic semiconductor device having an optional configuration can easily be produced.A method of producing an organic semiconductor device comprising a gate insulating layer, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and an organic semiconductor layer is provided which comprises the steps of:1) forming a monomer layer of a conductive polymer precursor;2) maintaining the monomer layer at a given temperature; and3) applying an oxidizing agent solution to a desired location of the monomer layer to obtain a polymer layer of a desired conductivity.
摘要（中）：

提供一种制造有机半导体器件的方法，通过该方法可以容易地制造具有可选配置的有机半导体器件。 提供一种制造包括栅极绝缘层，栅电极，源电极，漏电极和有机半导体层的有机半导体器件的方法，其包括以下步骤：1）形成导电聚合物前体的单体层 ; 2）将单体层保持在给定温度; 和3）将氧化剂溶液施加到所述单体层的所需位置以获得具有所需导电性的聚合物层。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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