Semiconductor device and method for fabricating the same

发明授权

US07049198B2 Semiconductor device and method for fabricating the same 失效

标题翻译：半导体装置及其制造方法

专利标题： Semiconductor device and method for fabricating the same
专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法
申请号： US10377771

申请日： 2003-03-04
公开(公告)号： US07049198B2

公开(公告)日： 2006-05-23
发明人: Koichiro Yuki , Tohru Saitoh , Minoru Kubo , Kiyoshi Ohnaka , Akira Asai , Koji Katayama
申请人： Koichiro Yuki , Tohru Saitoh , Minoru Kubo , Kiyoshi Ohnaka , Akira Asai , Koji Katayama
申请人地址： JP Osaka
专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
当前专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
当前专利权人地址： JP Osaka
代理机构： NixonPeabody,LLP
代理商 Donald R. Studebaker
优先权： JP11-007641 19990114
主分类号： H01L21/00
IPC分类号： H01L21/00

摘要：

An S1-yGey layer (where 0

摘要（中）：

按照此顺序形成S 1〜Y Ge层（其中0

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备