发明授权
- 专利标题： Semiconductor memory device and layout method thereof
- 专利标题（中）： 半导体存储器件及其布局方法
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申请号： US10786855申请日： 2004-02-24
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公开(公告)号： US07075849B2公开(公告)日： 2006-07-11
- 发明人: Soo-Bong Chang , Jung-Hwa Lee , Chi-Wook Kim , Byong-Mo Moon
- 申请人： Soo-Bong Chang , Jung-Hwa Lee , Chi-Wook Kim , Byong-Mo Moon
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 代理机构： Marger Johnson & McCollom, P.C.
- 优先权： KR10-2003-0024123 20030416
- 主分类号： G11C7/00
- IPC分类号： G11C7/00 ; G11C8/00
摘要：
Embodiments of the invention provide drivers from active internal voltage generating circuits on both sides of the internal voltage generating lines, therefore a voltage level of the internal voltage generating lines can quickly and uniformly reach a desired internal voltage level. Other embodiments of the invention are described in the claims.
公开/授权文献
- US20040208077A1 Semiconductor memory device and layout method thereof 公开/授权日：2004-10-21
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