发明授权
US07091522B2 Strained silicon carbon alloy MOSFET structure and fabrication method thereof
有权
应变硅碳合金MOSFET结构及其制造方法
- 专利标题： Strained silicon carbon alloy MOSFET structure and fabrication method thereof
- 专利标题（中）： 应变硅碳合金MOSFET结构及其制造方法
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申请号： US10791816申请日： 2004-03-04
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公开(公告)号： US07091522B2公开(公告)日： 2006-08-15
- 发明人: Min-Hung Lee , Shu Tong Chang , Shing Chii Lu , Chee-Wee Liu
- 申请人： Min-Hung Lee , Shu Tong Chang , Shing Chii Lu , Chee-Wee Liu
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Industrial Research Technology Institute
- 当前专利权人： Industrial Research Technology Institute
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 代理机构： Birch, Stewart, Kolasch and Birch, LLP
- 优先权： TW92120723A 20030729
- 主分类号： H01L29/15
- IPC分类号： H01L29/15
摘要：
A MOSFET structure utilizing strained silicon carbon alloy and fabrication method thereof. The MOSFET structure includes a substrate, a graded SiGe layer, a relaxed buffer layer, a strained silicon carbon alloy channel layer, a gate dielectric layer, a polysilicon gate electrode (or metal gate electrode) and a source/drain region.
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