Method of forming dual damascene structure

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US07098130B1 Method of forming dual damascene structure 有权

标题翻译：形成双镶嵌结构的方法

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专利标题： Method of forming dual damascene structure
专利标题（中）： 形成双镶嵌结构的方法
申请号： US11016304

申请日： 2004-12-16
公开(公告)号： US07098130B1

公开(公告)日： 2006-08-29
发明人: Ji Soo Kim , Sangheon Lee , S. M. Reza Sadjadi
申请人： Ji Soo Kim , Sangheon Lee , S. M. Reza Sadjadi
申请人地址： US CA Fremont
专利权人： LAM Research Corporation
当前专利权人： LAM Research Corporation
当前专利权人地址： US CA Fremont
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

Method of forming dual damascene structure

摘要：

A method for forming dual damascene features in a dielectric layer. Vias are partially etched in the dielectric layer. A trench pattern mask is formed over the dielectric layer. Trenches are partially etched in the dielectric layer. The trench pattern mask is stripped. The dielectric layer is further etched to complete etch the vias and the trenches in the dielectric layer.

摘要（中）：

一种在介电层中形成双镶嵌特征的方法。在电介质层中部分地蚀刻通孔。在电介质层上形成沟槽图案掩模。在介电层中部分蚀刻沟槽。剥去沟槽图案掩模。进一步蚀刻电介质层以完成蚀刻介电层中的通路和沟槽。

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）