发明授权
- 专利标题： Semiconductor light-emitting element
- 专利标题（中）： 半导体发光元件
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申请号： US10896222申请日： 2004-07-20
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公开(公告)号： US07122446B2公开(公告)日： 2006-10-17
- 发明人: Koichi Nitta , Haruhiko Okazaki , Yukio Watanabe , Chisato Furukawa
- 申请人： Koichi Nitta , Haruhiko Okazaki , Yukio Watanabe , Chisato Furukawa
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： DLA Piper US LLP
- 优先权： JP1999-176795 19990623; JP2000-179591 20000615
- 主分类号： H01L21/30
- IPC分类号： H01L21/30
摘要：
Part of light emitted downward by an active layer is reflected by an electrode functioning as a reflective layer, and travels upward to radiate outside. Since the electrode is made of a metal, it reflects almost all light regardless of its incident angle, and light can be efficiently extracted.
公开/授权文献
- US20050035362A1 Semiconductor light-emitting element 公开/授权日：2005-02-17
信息查询
IPC分类:
