利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
US07169697B2 Semiconductor device and manufacturing method of the same 失效
半导体器件及其制造方法相同

Semiconductor device and manufacturing method of the same
摘要：
Disclosed is a semiconductor device, comprising a first wiring structure formed on a semiconductor substrate and including a first plug and a first wiring formed on the first plug, and a second wiring structure formed on the semiconductor substrate belonging to the wiring layer equal to the first wiring structure and including a second plug and a second wiring formed on the second plug, wherein the upper surface of the first wiring is positioned higher than the upper surface of the second wiring, and the lower surface of the first wiring is positioned flush with or lower than the upper surface of the second wiring. The present invention also provides a method of manufacturing the particular semiconductor device.
摘要（中）：

公开了一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的第一布线结构，包括形成在第一插头上的第一插头和第一布线，以及形成在属于布线层的半导体衬底上的第二布线结构， 布线结构，并且包括形成在第二插头上的第二插头和第二布线，其中第一布线的上表面定位成高于第二布线的上表面，并且第一布线的下表面与 低于第二布线的上表面。 本发明还提供了制造特定半导体器件的方法。

公开/授权文献
信息查询
Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
0/0