发明授权
US07195984B2 Reduce 1/f noise in NPN transistors without degrading the properties of PNP transistors in integrated circuit technologies
有权
降低NPN晶体管中的1 / f噪声，而不降低集成电路技术中PNP晶体管的性能
- 专利标题： Reduce 1/f noise in NPN transistors without degrading the properties of PNP transistors in integrated circuit technologies
- 专利标题（中）： 降低NPN晶体管中的1 / f噪声，而不降低集成电路技术中PNP晶体管的性能
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申请号： US10994563申请日： 2004-11-22
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公开(公告)号： US07195984B2公开(公告)日： 2007-03-27
- 发明人: Joe R. Trogolo , William Loftin , William F. Kyser, Jr.
- 申请人： Joe R. Trogolo , William Loftin , William F. Kyser, Jr.
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人： Texas Instruments Incorporated
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 代理商 Peter K. McLarty; W. James Brady, III; Frederick J. Telecky, Jr.
- 主分类号： H01L21/339
- IPC分类号： H01L21/339
摘要：
An interfacial oxide layer (185) is formed in the emitter regions of the NPN transistor (280, 220) and the PNP transistor (290, 200). Fluorine is selectively introduced into the polysilicon emitter region of the NPN transistor (220) to reduce the 1/f noise in the NPN transistor.
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