发明授权
- 专利标题： Forming low k dielectric layers
- 专利标题（中）： 形成低k电介质层
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申请号： US10298225申请日： 2002-11-18
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公开(公告)号： US07205246B2公开(公告)日： 2007-04-17
- 发明人: John MacNeil , Sajid Ishaq , Hervé Gris , Katherine Giles
- 申请人： John MacNeil , Sajid Ishaq , Hervé Gris , Katherine Giles
- 申请人地址： GB Newport, Gwent
- 专利权人： Aviza Technology Limited
- 当前专利权人： Aviza Technology Limited
- 当前专利权人地址： GB Newport, Gwent
- 代理机构： Volentine & White, PLLC
- 优先权： GB0127474.5 20011116
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A low k dielectric layer is formed by depositing an unset dielectric layer on a substrate, the dielectric layer including Silicon, Carbon and Oxygen. The surface of the dielectric layer exposed to an activated gas to form a semi-permeable skin on or of the surface of the layer. The layer is then cured to render at least part of the layer porous.
公开/授权文献
- US20030124870A1 Forming low k dielectric layers 公开/授权日：2003-07-03
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IPC分类:
