Process for preparing a bonding type semiconductor substrate

发明授权

US07217635B2 Process for preparing a bonding type semiconductor substrate 有权

标题翻译：制备接合型半导体衬底的方法

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专利标题： Process for preparing a bonding type semiconductor substrate
专利标题（中）： 制备接合型半导体衬底的方法
申请号： US10961066

申请日： 2004-10-12
公开(公告)号： US07217635B2

公开(公告)日： 2007-05-15
发明人: Kazuyoshi Furukawa , Yasuhiko Akaike , Shunji Yoshitake
申请人： Kazuyoshi Furukawa , Yasuhiko Akaike , Shunji Yoshitake
申请人地址： JP Kawasaki-shi
专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人地址： JP Kawasaki-shi
代理机构： Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C.
优先权： JP11-162985 19990609; JP11-174138 19990621; JP2000-089754 20000328
主分类号： H01L21/30
IPC分类号： H01L21/30

Process for preparing a bonding type semiconductor substrate

摘要：

The process comprises a step of growing epitaxially mixed crystals of a compound semiconductor represented by the composition formula Inx(Ga1−yAly)1−xP on a GaAs substrate 12 to form an epi-wafer having an n-type cladding layer 14 (0.45

摘要（中）：

该方法包括生长由组成式为X 1（Ga 1-y Al y）的化合物半导体的外延混合晶体的步骤，在GaAs衬底12上形成具有n型包层14（0.45

公开/授权文献

US20050066880A1 Process for preparing a bonding type semiconductor substrate 公开/授权日：2005-03-31

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）