Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy

发明授权

US07220658B2 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 有权

标题翻译：通过氢化物气相外延生长减少的位错密度非极性氮化镓

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专利标题： Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
专利标题（中）： 通过氢化物气相外延生长减少的位错密度非极性氮化镓
申请号： US10537644

申请日： 2003-07-15
公开(公告)号： US07220658B2

公开(公告)日： 2007-05-22
发明人: Benjamin A Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
申请人： Benjamin A Haskell , Michael D. Craven , Paul T. Fini , Steven P. DenBaars , James S. Speck , Shuji Nakamura
申请人地址： US CA Oakland
专利权人： The Regents of the University of California
当前专利权人： The Regents of the University of California
当前专利权人地址： US CA Oakland
代理机构： Gates & Cooper LLP
国际申请： PCT/US03/21918 WO 20030715
国际公布： WO2004/061909 WO 20040722
主分类号： H01L21/20
IPC分类号： H01L21/20

Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy

摘要：

Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.

摘要（中）：

通过氢化物气相外延（HVPE）的非极性a面平面氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开/授权文献

US20060128124A1 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 公开/授权日：2006-06-15

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长