Method of making empty space in silicon

发明授权

US07235456B2 Method of making empty space in silicon 有权

标题翻译：在硅中制造空白空间的方法

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专利标题： Method of making empty space in silicon
专利标题（中）： 在硅中制造空白空间的方法
申请号： US11340594

申请日： 2006-01-27
公开(公告)号： US07235456B2

公开(公告)日： 2007-06-26
发明人: Tsutomu Sato , Mie Matsuo , Ichiro Mizushima , Yoshitaka Tsunashima , Shinichi Takagi
申请人： Tsutomu Sato , Mie Matsuo , Ichiro Mizushima , Yoshitaka Tsunashima , Shinichi Takagi
申请人地址： JP Kawasaki-shi
专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人地址： JP Kawasaki-shi
代理机构： Finnegan, Henderson, Farabow, Garrett & Dunner, L.L.P.
优先权： JP11-246582 19990831; JP2000-252881 20000823
主分类号： H01L21/764
IPC分类号： H01L21/764 ; H01L27/12

摘要：

To change a plurality of trenches to one flat empty space by two-dimensionally forming the trenches on the surface of a semiconductor substrate and then applying heat treatment to the semiconductor substrate.

摘要（中）：

通过在半导体衬底的表面上二维地形成沟槽，然后对半导体衬底进行热处理，将多个沟槽改变为一个平坦的空间。

公开/授权文献

US20060131651A1 Semiconductor substrate and its fabrication method 公开/授权日：2006-06-22

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/76	...组件间隔离区的制作
H01L21/764	....空气隙