Method of forming a solution processed device

发明授权

US07285501B2 Method of forming a solution processed device 失效

标题翻译：形成溶液处理装置的方法

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专利标题： Method of forming a solution processed device
专利标题（中）： 形成溶液处理装置的方法
申请号： US10943606

申请日： 2004-09-17
公开(公告)号： US07285501B2

公开(公告)日： 2007-10-23
发明人: Peter Mardilovich , Randy Hoffman , Gregory Herman
申请人： Peter Mardilovich , Randy Hoffman , Gregory Herman
申请人地址： US TX Houston
专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
当前专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
当前专利权人地址： US TX Houston
主分类号： H01L21/4757
IPC分类号： H01L21/4757

Method of forming a solution processed device

摘要：

Embodiments of methods, apparatuses, devices, and/or systems for forming a solution processed device are described.

摘要（中）：

描述了用于形成解决方案处理设备的方法，设备，设备和/或系统的实施例。

公开/授权文献

US20060060857A1 Method of forming a solution processed device 公开/授权日：2006-03-23

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/469	......在半导体材料上形成绝缘层的，例如，用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）以及这些层的后处理
H01L21/4757	.......后处理