利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
US07313027B2 Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof 有权
非易失性半导体存储器件及其字线的方法

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof
摘要：
A nonvolatile semiconductor memory device having a first circuit for selecting one from the plurality of blocks, the first circuit having a plurality of transistors connected to word lines connected to some of the nonvolatile memory cells and a second circuit for generating a first voltage V1, a second voltage V2 and a third voltage V3 (V3
摘要（中）：

一种非易失性半导体存储器件，具有用于从所述多个块中选择一个的第一电路，所述第一电路具有连接到连接到所述非易失存储单元的一些的字线的多个晶体管和用于产生第一电压V 1的第二电路， 第二电压V 2和第三电压V 3（V 3

公开/授权文献
信息查询
Espacenet
0/0