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US07341898B2 Thin film transistor circuit device, production method thereof and liquid crystal display using the thin film transistor circuit device 有权
薄膜晶体管电路器件及其制造方法和使用薄膜晶体管电路器件的液晶显示器

Thin film transistor circuit device, production method thereof and liquid crystal display using the thin film transistor circuit device
摘要：
A thin film transistor circuit device and the production method thereof is demanded for a thin film transistor circuit device, which contains wiring having a structure of an aluminum alloy in a lower layer and a molybdenum alloy in an upper layer, wherein corrosion in air of the molybdenum alloy does not proceed easily. A thin film transistor circuit device which exposes a portion of wiring covered with an insulating film that connects thin film transistors of a main circuit region formed on a center portion of a substrate to a protection circuit region formed on an outer periphery of the substrate, which contains on the exposed surface a terminal which is formed of terminal electrode metal, wherein an uppermost surface of the wiring is a molybdenum alloy comprising niobium.
摘要（中）：

薄膜晶体管电路器件及其制造方法要求薄膜晶体管电路器件，其包含具有下层中的铝合金结构的布线和上层的钼合金，其中在 钼合金不容易进行。 一种薄膜晶体管电路器件，其使覆盖有绝缘膜的布线的一部分露出，所述绝缘膜将形成在基板的中心部分上的主电路区域的薄膜晶体管连接到形成在基板的外周上的保护电路区域， 在暴露的表面上包含由端子电极金属形成的端子，其中布线的最上表面是包含铌的钼合金。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84 .....衬底不是半导体的，例如绝缘体
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